Elmas yarı iletkenler, ABD elektrik şebekelerinin geleceği mi?

Elmas yarı iletkenler, ABD elektrik şebekelerinin geleceği mi?

Elmas, ABD elektrik şebekelerinin ihtiyaç duyduğu süper yarı iletken olabilir. Şebekelerin ve elektrikli araçların büyük miktarlarda elektriği daha verimli bir şekilde yönetmesine yardımcı olur.

Elektrik kesintileri Amerika Birleşik Devletleri'ne yılda 150 milyar dolardan fazla maliyete neden oluyor ve şebeke, yaşlanan altyapı ve giderek daha şiddetli hava olayları gibi zorluklarla da karşı karşıya.Amerika Birleşik Devletleri 2050 yılına kadar karbon tarafsızlığına ulaşmayı hedefliyor, bu nedenle şebeke kapasitesini artırmak ve daha fazla yenilenebilir enerjiyi entegre etmek kritiktir.Elektrikli araçlarBu nedenle, ABD hükümeti yeni elmas tabanlı güç elektroniği teknolojisini geliştirmek için yatırımını arttırdı.

Geçtiğimiz Kasım ayında ABD Enerji Bakanlığı, şebeke güvenilirliğini, esnekliğini ve esnekliğini artırmak için yeni nesil yarı iletken teknolojileri geliştirmek için 15 projeye 42 milyon dolarlık bir hibe ilan etti.Bunlardan bazıları:: daha dağıtılmış üretim ve dalgalanma yüklerini karşılamak için şebeke kontrol altyapısı için elmas yarı iletken tranzistörleri geliştirmek;Katı halli transformatörlerin hızlı koruma ihtiyaçlarını karşılamak için ultra geniş bant aralığı ışık tetikleyici cihazlar geliştirmekŞebeke kontrolünü iyileştirmek için gelişmiş ultra geniş bant boşluğu malzemeleri kullanan fotokondüktif yarı iletken anahtarlama cihazları geliştirmek;Günümüzün en gelişmiş teknolojisini aşan voltaj ve hızlara sahip ultra geniş bant aralığı anahtarlama cihazları geliştirmek, böylece şebeke için daha karmaşık kontrol yöntemleri sağlar; şebeke koruma teknolojisinde devrimci bir atılım elde etmek için ışık tetiklenen elmas yarı iletken anahtarlama cihazları geliştirmek,vb.

Ayrıca, the University of Illinois has also received millions of dollars in funding from the Department of Energy for projects such as developing light-triggered diamond semiconductor switching devices and creating high-power diamond optoelectronic devices.